SiC-PD作为日盲型探测器,具有高可靠性、强抗辐照及低温度系数,优于普通Si型探测器,以高响应度、低暗电流满足紫外应用。而GaP-PD光谱覆盖广,自紫外至绿光,尤其擅长近紫外探测。两者各具特色,适用于不同紫外探测需求。
单光子探测器件,基于APD盖革模式,增益高达106-108倍,显著提升信噪比,精准捕捉超弱光信号。我们提供GM-APD、CMOS SPADs及SIPM,三款先进单光子探测器件,满足不同应用需求,从基础科研到高端探测,全面覆盖。
InGaAs-APD覆盖1000-1630nm波长,内增益机制使其增益比普通InGaAs-PD高约30倍,尤其适合1550nm应用。我们提供多种光敏尺寸,可选配制冷、尾纤及内置前放,灵活满足高端探测需求。
高压模块可为高压器件提供所需的供电高压,如雪崩光电二极管(APD),光电倍增管(PMT)等等。具有结构紧凑、高压范围大、精度高、纹波小等特点,同时能设置限流保护器件。应用:激光雷达、光纤传感系统、微弱光信号接收。
双波长探测器包含两种材料,分别位于芯片顶部和底部,是一种能够在两个不同波长范围内同时探测光信号的光电探测器。其可输出两路光电流信号,常用于测温应用等参比信号测量,可提高被测物理量的精度和稳定性,扩大光谱探测范围。
红外黑体光源,发射率近理想黑体,支持脉冲模式,采用纳米技术专利及高熔点金属,提供宽谱高效红外辐射。镀金反射杯增强光功率,低耗高发射,寿命长。TO、SMD封装多样,窗口材料可选,全面满足红外应用需求。
激光二极管具有体积小、效率高、寿命长等优点。可提供不同类型的:CWLD、PLD、VCSEL、DFB、QDLD以及内置VBG的激光管,覆盖从400~2300nm的多个波长,可提供芯片、阵列、模块等产品。应用:测距和激光雷达、医疗、气体分析等。
功率MOSFET因高耐压、大电流特性,获DLR认证,适用于航空航天。高压二极管则凭强抗辐射力,通过ESCC5000标准,护航航空安全。两者皆为航空关键元件,性能卓越,确保极端环境下稳定运行,为航空航天事业保驾护航。
提供多类型光电探测器模块,包括即插即用型(含完整电路与接口)及小型OEM集成模块,覆盖全波段并提供阵列模块以适应复杂光学系统。支持根据具体需求优化与定制OEM模块,详情请致电咨询。