碳化硅光电二极管(silicon carbide photodiodes, SiC-PD)作为日盲型探测器(solar-blind photodetector)，具有高可靠性、强抗辐照及低温度系数，优于普通硅(Si)型探测器，以高响应度、低暗电流满足紫外应用。 磷化镓光电二极管(gallium phosphide photodiodes, GaP-PD)光谱覆盖广，自紫外至绿光，尤其擅长近紫外探测。两者各具特色，适用于不同紫外探测需求。

硅光电二极管(silicon photodiodes, Si-PD)探测范围190-1100nm，高响应度、低暗电流，反向偏压提升响应速度，适用于高速测量。广泛应用于光谱分析、生化检测、安检、激光测距及阵列成像等精密弱光探测领域，是光电探测技术中的重要元件。

红外探测器(infrared photodetectors, IR-PD)可探测0.8μm至100μm的红外辐射，具备高响应度和高信噪比，广泛应用于红外光谱、气体分析、火焰探测、温度传感、航天及科研领域。我们的红外探测材料包括Ge、PbS、PbSe、InAs、InSb、MCT等光子型探测器件，以及热释电和热电堆等热型探测器件。

硅雪崩光电二极管(silicon avalanche photodiodes, Si-APD)的响应波长覆盖260-1100nm。APD具有内增益机制，相比普通PIN管，能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号，在保持低暗电流的同时拥有更快的响应速度和更高的信噪比。

固态光电倍增管(silicon photomultiplier，SiPM, also multi-pixel photon counter)是由微型盖革雪崩光电二极管(GM-APD)组成的面阵，能响应300nm到900nm的光谱，具有高达10E+6倍的增益和卓越的定时性能，可实现单光子等级的探测。此外，SiPM适合低压工作，具有很强的温度稳定性、抗磁能力和可靠性，可替代传统的光电倍增管(photomultiplier tube, PMT)。

铟镓砷雪崩光电二极管(indium gallium arsenide avalanche photodiodes, InGaAs-APD)覆盖1000-1630nm波长，内增益机制使其增益比普通InGaAs-PD高约30倍，尤其适合1550nm应用。我们提供多种光敏尺寸，可选配制冷、尾纤及内置前放，灵活满足高端探测需求。

位移探测器(position sensors)通过横向效应或不同像元间的电流差用来检测光斑移动位置。分为象限探测器(quadrant photodetectors, QPD)和位移灵敏探测器(position sensitive detectors, PSD)两种类型，象限探测器QPD更适合于光斑对准应用，而位移灵敏探测器PSD更容易获得绝对位置，选择不同材料(Si、InGaAs、HgCdTe/MCT、SiC等)可满足不同应用需求。 派铼兹科贸短交期供货高端位置探测器。

双色光波长探测器(dual sandwich wavelength detectors or two-color sandwich photodiodes)芯片顶部和底部包含两种光电材料，是一种能在两个不同颜色波长范围内同时探测光信号的光电探测器(photodetectors, PD)。其可输出两路光电流信号，常用于测温应用等参比信号测量，可提高被测物理量的精度和稳定性，扩大光谱探测范围。

多类型光电探测器模块(photodetector modules)，包括即插即用型（含完整电路与接口）及小型定制集成OEM模块，覆盖宽谱并提供阵列模块以适应复杂光学系统，支持根据具体需求优化与定制OEM模块，欢迎来电详询。

单光子探测器(single photon detectors, SPD)，基于APD盖革模式(Geiger mode, GM)，增益高达10E+6~10E+8倍，显著提升信噪比，精准捕捉超弱光信号。我司提供GM-APD、CMOS SPADs及SiPM，三款先进单光子探测器件，满足不同应用需求，从基础科研到高端探测，全面覆盖。

依托顶尖国际生产商与设计精英团队，我们提供的图像传感器(image sensors)，即便在极低光强下，仍确保超高清画质与超宽HDR展现。提供全方位定制化服务，灵活融入各类应用场景，精准满足客户需求，引领视觉科技新高度。

红外黑体光源[thermal infrared (IR) emitters / sources]，发射率近理想黑体，支持脉冲模式，采用纳米技术专利及高熔点金属，提供宽谱高效红外辐射。镀金反射杯增强光功率，低耗高发射，寿命长。TO、SMD封装多样，窗口材料可选，全面满足红外应用需求。 派铼兹科贸短交期供货高端红外黑体光源。

激光二极管(laser diodes, LD)具有体积小、效率高、寿命长等优点。可提供不同类型的：CWLD、PLD、VCSEL、DFB、QDLD以及内置VBG的激光管，覆盖从400~2300nm的多个波长，可提供芯片、阵列、模块等产品。应用：测距和激光雷达、医疗、气体分析等。

激光驱动板(laser drivers)是一种用于控制激光二极管电流的电子设备，其主要功能是为激光二极管提供适当的电流，以确保其稳定工作并发出所需的激光输出。其具备电源转化、调制控制、温度稳定控制等功能。 派铼兹科贸短交期供货高端激光驱动板模组(module, Mod)、开发评估板(evaluation board, EVB)、QFN封装版。

我们提供不同波长（400~850nm）、功率(毫瓦到百毫瓦级)及光斑类型（一字、圆形、椭圆、十字...）的激光器模块(laser modules)，同时接受不同尺寸、发散角、焦距、调制、准直以及DOE选项的定制服务。应用：机器视觉、工业自动化校准、共聚焦显微等。

卤钨灯(tungsten halogen lamps)提供从340nm-2400nm 的宽光谱范围，具有体积小、灯丝位置精度高、光谱一致性高、寿命长等特点，适合作为各类气体、水质、生化、生物样本等光谱检测的光源。

弧光灯[high intensity discharge (HID) arc lamps]是一种利用电极间产生电弧而发光的电光源。它发出的光线亮度高、强度大，且光谱相对较为单一，色温与日光的色温接近。

发光二极管(light emitting diodes, LED)具有发光效率高，功耗低等特点，波长范围覆盖235nm-1550nm，有较好的单色特性。 除各种塑封、贴片、以及金属封装外，我们还能够提供多不同的透镜配置以及多波长LED的定制服务，详情请来电咨询。

光学元件(optical components)在光路中起到会聚/ 发散光线、光束分离、减少杂散光、光线选择、反射光线等作用。这些光学元件被广泛应用到教育科研、激光加工、工业自动化、生命科学、机器视觉、光通讯、半导体等相关领域或行业。

雪崩光电二极管高压模块[avalanche photodiode (APD) high voltage modules]可为高压器件提供所需的供电高压，如雪崩光电二极管(APD)，光电倍增管(PMT)等等。具有结构紧凑、高压范围大、精度高、纹波小等特点，同时能设置限流保护器件。应用：激光雷达、光纤传感系统、微弱光信号接收。

元件插座(sockets)，作为电子连接器的一种，主要用于连接电子元件与电路板(PCB)或其他设备，实现电能的传输和信号的交换。我们提供的元件插座可以适合几乎所有的半导体封装，方便客户生产测试。 派铼兹科贸短交期供货高端电子学(electronics)元件插座。

我们提供与光纤相关的各类组件(fiber optics)，包括光纤光缆、连接器、耦合器、准直器以及剥纤工具等。这些光纤组件与光电器件有极高的适配性，极佳的耦合效率和稳定性，应用于光纤激光和光纤通信等领域。

压力传感器（pressure sensors）能够准确检测并转换压力信号为电信号，广泛应用于工业控制、医疗设备、航空航天等领域。它具备高精度、快速响应和稳定性好的特点，是自动化系统和安全监测中不可或缺的关键元件。可提供芯片(chips)、封装(packages)、模块(modules)等产品。

液位传感器(liquid level sensors)是一种重要的测量装置，用于将液位高度转化为电信号输出。它结构简单、安装方便，具有稳定性好、可靠性高、经济耐用的特点。常见类型包括光电式、电容式、超声波式等，各类型传感器在不同领域有广泛应用，如制造业、汽车工业及家用电器等。

MOSFET功率半导体航空级(power semiconductors aerospace grade)因高耐压、大电流特性，获DLR认证，适用于航空航天。高压二极管则凭强抗辐射力，通过ESCC5000标准，护航航空安全。两者皆为航空关键元件，性能卓越，确保极端环境下稳定运行，为航空航天事业保驾护航。

泵浦激光组件(laser pump components)核心由激光泵浦灯提供能量，通过激光泵浦腔高效转换，激发激光谐振腔内的增益介质，产生并放大激光束。各部件协同工作，确保激光输出的稳定性与效率。

我们提供光电器件的全套解决方案电子学配件Electronic Accessories，包括定制驱动电路、稳定供电电源、精准信号处理及放大电路、智能控制电路。这些电路板与光电器件完美匹配，确保高效稳定运行。我们精心设计并严格测试，助力客户在光电应用领域取得卓越成果，实现性能最大化。