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多元阵列

我们所提供的近红外增强型Si-APD阵列主要针对MEMS和FLASH型激光雷达，保持单颗APD性能的同时提高系统分辨率，有效降低串扰，并且有多种像元尺寸、排列方式和适应不同条件的封装可供选择，方便客户在最终定制前挑选出最适合的阵列方案。

型号	像元数	像元尺寸	像元中心距	暗电流	反向击穿电压	上升沿时间	封装	封装类型	引脚数	窗口
16AA0.13-9 SMD	16	648 × 208 μm	320 μm	1.0 nA@M=50,880nm	100 … 400V@2μA	2 ns@M=100,905nm,50Ω	Ceramic SMD	Special	22	-
16AA0.4-9 SMD	16	1000 × 405 μm	500 μm	2.0 nA@M=50,880nm	160 … 240V@2μA	2 ns@M=100,905nm,50Ω	Ceramic SMD	Special	22	-
32AA1.2-9 BGA	32	340 × 3600 μm	380 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	BGA	SMD	36	-
32AA1.2-9 CH	32	340 × 3600 μm	380 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Chip	32	-
32AA1.2-9 SMD	32	340 × 3600 μm	380 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	BGA	SMD	36	-
4AA0.235-9 SMD	4	470 × 500 μm	510 μm	50 pA@M=100	160 … 240V@2μA	1.3 ns@M=100,905nm,50Ω	Ceramic SMD	SMD	8	-
64AA0.04-9 SMD 50130701	64	205 × 205 μm	320 μm	0.3 nA@M=100	200V@2μA	2 ns@M=100,905nm,50Ω	BGA	SMD	68	-
64AA0.06-9 CH	64	236 × 236 μm	300 μm	0.5 nA@M=100	160 … 240V@10μA	0.6 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Chip	64	-
64AA0.375-9 CH	64	150 × 2500 μm	190 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Chip	64	-
64AA1.2-9 BGA	64	240 × 5000 μm	280 μm	0.25 nA@M=50	180 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	BGA	SMD	72	-
64AA0.475-9	64	190 × 2500 μm	230 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Chip	29	-
6AA0.04-9	6	- μ	- μ	- n	-	- n	-	Chip	-	-
8AA0.11-9 CH	8	215 × 500 μm	255 μm	1.0 nA@M=50	160 … 240V@10μA	1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Chip	10	-
8AA0.2-9 SMD	8	550 × 350 μm	650 μm	0.1 nA@M=50	160 … 200V@10μA	1 ns@M=100,905nm,50Ω	-	SMD	-	-
8AA0.4-9 SMD	8	1000 × 405 μm	500 μm	2.0 nA@M=50,880nm	100 … 400V@2μA	2 ns@M=100,905nm,50Ω	Ceramic SMD	SMD	22	-
25AA0.04-9 SMD	25	205 × 205 μm	300 μm	0.3 nA@M=100	200V@2μA	2 ns	BGA	SMD	29	Filter
64AA0.375-9 CH W/PCB	64	150 × 2500 μm	190 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Special	80	-
32AA1.2-9 CH W/PCB	32	340 × 3600 μm	380 μm	0.25 nA@M=50	160 … 240V@10μA	<1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Special	80	-
AA16-9P DIL18	16	648 × 208 μm	320 μm	5 nA@M=100	100 … 300V	2 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Special	18	-
SAH1L16-012LCC44	16	620 × 190 μm	40 μm	4 nA@M=100,905nm	80 … 200V@10μA	1 ns@M=100,905nm,50Ω	LCC	SMD	44	-
SAH1L12-012S14	12	620 × 190 μm	40 μm	4 nA@M=100,905nm	80 … 200V@10μA	1 ns@M=100,905nm,50Ω	DIP	Special	14	-
SAH1L12-012LCC44	12	620 × 190 μm	40 μm	4 nA@M=100,905nm	80 … 200V@10μA	1 ns@M=100,905nm,50Ω	LCC	SMD	44	-
SAH1L08-012LCC44	8	620 × 190 μm	40 μm	4 nA@M=100,905nm	80 … 200V@10μA	1 ns@M=100,905nm,50Ω	LCC	SMD	44	-