首页 | 产品信息 | 硅雪崩光电二极管多元阵列 AA16-9P DIL18

特性

产品信息

像元数 像元尺寸 像元中心距 暗电流 反向击穿电压 上升沿时间 封装 封装类型 引脚数 窗口
16 648 × 208 μm 320 μm 5 nA@M=100 100 … 300V 2 ns@M=100,905nm,50Ω - Special 18 -

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