紫外增强型APD在紫外波段具有非常高的响应度，它利用雪崩效应放大入射光信号，因此在极低光强下也能实现高效探测。其光谱响应范围可以延伸至255nm，目前主要的应用领域包括：医疗检测、荧光分析等。
红绿光增强型APD的响应峰值为650nm，在红绿光波长范围具有非常高的响应度，非常适合高速微弱可见光探测，是目前可见光测距仪的理想选择。主要的应用领域包括：红绿激光测距仪、激光扫描仪、光通信等。
近红外增强型APD在905nm有极高的量子效率和响应度，有目前最小的芯片尺寸和各类特殊封装，专为激光雷达(LiDAR)和激光测距仪而设计，部分器件能适应车载等苛刻的高温高湿条件。应用：激光雷达、激光测距、安检扫描、3D测量、激光通信。
1064nm增强型APD是优化用于探测1064nm波长（近红外区域）的高灵敏度光电探测器。在850nm-1000nm波段的量子效率高达80%以上，具有响应速度高、暗电流低等优点。应用：1064nm激光测距等，是工业、科研和军事领域的重要激光波段。
内置前放型Si-APD在内部集成了高速的前置放大电路，可最大程度地减少噪声和漂移，提升探测信噪比。同时减少了对外部电路的需求，以便于在各类光电系统中快速集成，实现方便客户进行后续的电路设计的作用。
我们所提供的近红外增强型Si-APD阵列主要针对MEMS和FLASH型激光雷达，保持单颗APD性能的同时提高系统分辨率，有效降低串扰，并且有多种像元尺寸、排列方式和适应不同条件的封装可供选择，方便客户在最终定制前挑选出最适合的阵列方案。
Si APD模块采用低噪声硅APD，配有匹配的前置放大器和集成高压电源，可以轻松快速地集成到各类光电系统中去，以便于客户后续的设计和生产。根据具体应用需求的不同，我们可以提供不同型号的Si APD模块。
尾纤耦合型APD采用“穿透式”结构，具有极低的噪声和暗电流，出色的量子效率和速度，适用于极低光照度的监测。同时它还提供有多种封装可供选择，这使得APD能够用于各种要求苛刻的应用，主要包括光谱学、荧光检测、激光雷达和医疗等。
Reach-through贯通型APD相比一般的外延型APD(近红外增强型)造价更高，但随之带来的是更高的响应和增益，更宽的增益区，更平稳的增益曲线，更可靠的耐击穿特性以及更低的过剩噪声系数。
制冷型Si-APD能够通过制冷技术有效地降低热噪声和暗电流，从而显著提升对弱光信号的探测能力，提升器件自身的信噪比和稳定性。这种APD尤其在高精度探测应用中表现出色，具体制冷方式的选择取决于应用需求和所需的工作温度。
