峰值880nm近红外增强硅雪崩光电二极管[880nm near infrared (NIR) enhanced silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用微型SD封装，是低成本通用硅APD，针对880nm测距应用进行了优化。主要应用领域包括：激光雷达、激光测距、激光通信等。
峰值905nm近红外增强硅雪崩光电二极管[905nm near infrared (NIR) enhanced silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用微型SD封装，是低成本通用硅APD，针对905nm测距应用进行了优化。主要应用领域包括：激光雷达、激光测距、激光通信等。
贯通型近红外增强硅雪崩光电二极管[reach-through near infrared (NIR) enhanced silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用特殊的贯通结构，具有出色的量子效率和速度，在提供TO-5和TO-8封装类型的同时，还可采用带热电冷却器的密封式TO-37封装。相比一般的外延型APD(近红外增强型)造价更高，但随之带来的是更高的响应和增益，更宽的增益区，更平稳的增益曲线，更可靠的耐击穿特性以及更低的过剩噪声系数。这使得本产品能够用于要求苛刻的应用，包括荧光检测、激光雷达、医疗等方面的应用。
