峰值波长880nm近红外增强硅雪崩光电二极管[880nm near-infrared (NIR) enhanced-sensitivity (ES) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用微型SD封装，是低成本通用硅APD，针对880nm测距应用进行了优化。主要应用领域包括：激光雷达、激光测距、激光通信等。
峰值905nm近红外增强硅雪崩光电二极管[905nm near-infrared (NIR) enhanced-sensitivity (ES) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用微型SD封装，是低成本通用硅APD，针对905nm测距应用进行了优化。主要应用领域包括：激光雷达、激光测距、激光通信等。
贯通型硅雪崩光电二极管[reach-through or punch-through (PT) silicon avalanche photodiodes (Si-APD)]采用特殊的“贯通、穿通、拉通”(reach-through or punch-through)结构实现特定击穿电压下快通慢耗，具有出色的量子效率和速度，适用于极低光照度的监测。我司短交期供货TO-5、TO-8、带热电冷却器的密封式TO-37等封装均包括尾纤、耦合[fiber-pigtailed (FP) or fiber-coupled (FC)]可选的该种贯通型Si-APD。虽比一般的外延型Si-APD，如近红外增强型[near-infrared (NIR) enhanced-sensitivity (ES)]，造价更高，但获得更高的响应和增益，更宽的增益区，更平稳的增益曲线，更可靠的耐击穿特性以及更低的过剩噪声系数。这使该种Si-APD能够用于要求苛刻的应用，包括荧光检测、激光雷达、医疗设备等方面的应用。
