InGaAs雪崩光电二极管

InGaAs-通用型APD，响应波长1000-1630nm，内增益机制显著增强信号，尤其适用于1550nm探测。增益远超普通InGaAs-PD，是长波长通信等应用的理想选择。

内置前放型InGaAs-APD集成高速前置放大，有效降低噪声与漂移，显著提升探测信噪比。专为高精度需求设计，如光纤通信、光谱分析，简化后续电路设计。

尾纤耦合型InGaAs-APD，支持多光纤接口与不同尺寸尾纤，灵活对接各类系统。高灵敏度、宽波长覆盖，专为1550nm等长波长通信、激光雷达等领域设计，提升信号检测精度与效率。

铟镓砷雪崩光电二极管模块，专为近红外光谱设计，结合了InGaAs材料的高灵敏度和APD的雪崩倍增效应，实现了超长距离、超弱光信号的精确探测。广泛应用于光通信等领域。