硅光电二极管

X-ray高能粒子探测器[high-energy radiation silicon photodetectors (Si-PD)]是能对高能粒子响应的器件(如各种X射线及Gamma粒子等)。广泛应用于：X光安检设备、gamma粒子计数器、高能粒子探测、医疗X影像、医疗及工业CT等。

紫外增强型硅光电二极管[ultraviolet (UV) enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]光谱响应至190nm，紫外区响应优异。广泛应用于紫外分光光度计、荧光探测、生化分析、紫外曝光计及气体分析等领域。

蓝光增强型硅光电二极管[blue enhanced silicon photodiodes (Si-PD)]对蓝绿光谱（350-650nm）的响应度做了特别的优化，与通用型相比，蓝绿光波长暗电流更低的同时，响应度更加理想。广泛应用于：医疗仪器、分光光度计、各类分析仪器等。

可见近红外型光电二极管[visible near-infrared (VNIR) silicon photodiodes (Si-PD)]，探测波段340nm-1100nm，稳定性卓越，内置高阻抗设计降低暗电流，高响应度。广泛应用于功率计、分光光度计、气体分析及颗粒物计数等领域。

1064nm增强型光电探测器[enhanced YAG optimized silicon photodetectors (Si-PD)]，专为1064nm优化，波长响应宽广至340-1100nm。稳定性卓越，高分流电阻、高响应度与低暗电流特性并存，适用于激光瞄准、精确定位及制导系统。

背部感光型硅光电二极管[back-illuminated silicon photodiodes (Si-PD)]有效减少边缘死区，提升性能，其紧凑封装接近芯片尺寸，便于阵列拼接与闪烁体安装。广泛应用于X光检测、计算机断层扫描及通用工业测量等领域。

高速响应型硅光电二极管[high speed silicon photodiodes (Si-PD)]是专为高速高带宽应用设计的优化器件，兼具高响应度、低暗电流特性，工作偏压下能实现百皮秒级上升沿时间。广泛应用于视频系统、工业控制、光通信及激光监测等领域。

内置滤色片型硅光电二极管[detector-filter combination silicon photodiodes (Si-PD)]，集成滤色片于窗口，精准筛选特定波长光，有效抵御环境光干扰，显著提升器件灵敏度与信噪比，使用便捷高效。

内置前放型硅光电二极管[amplifier hybrids silicon photodiodes (Si-PD)]融合探测器与前置放大器，实现低噪声低漂移性能，带宽覆盖DC至MHz，显著提升信噪比，便于客户后续电路设计，灵活高效。

多元阵列硅光电二极管[silicon photodiodes (Si-PD) multi-element array]由高一致性像元构成，低串扰设计。适用于动态光斑捕捉、多波长分析，广泛应用于光谱仪、光斑定位、CT扫描、高速光度计及医疗生化仪器，提升测量精度与效率。

我们提供高性能硅光电二极管(silicon photodiodes, Si-PD) Si-PIN芯片(Chip)，专为灵活应用设计而生，支持多种电路集成方案，助力您轻松实现创新应用与定制设计。

尾纤耦合型硅光电二极管[pigtailed silicon photodiodes (Si-PD)]，优化光信号传输与连接，便于集成至光学系统。该类型二极管具备高耦合效率与稳定性，提升整体性能。

硅光电二级管模块(Si-PIN modules)，集成精密前置放大电路，显著提升信号传输质量，确保高灵敏度、极速响应与超低噪声表现。广泛应用于光通信、光谱精密分析及生物医学探测，为科研与工业应用提供精准、可靠的光电转换解决方案。