硅雪崩光电二极管(silicon avalanche photodiodes, Si-APD)的响应波长覆盖260-1100nm。APD具有内增益机制,相比普通PIN管,能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号,在保持低暗电流的同时拥有更快的响应速度和更高的信噪比。
硅光电二极管(silicon photodiodes, Si-PD)探测范围190-1100nm,高响应度、低暗电流,反向偏压提升响应速度,适用于高速测量。广泛应用于光谱分析、生化检测、安检、激光测距及阵列成像等精密弱光探测领域,是光电探测技术中的重要元件。
碳化硅光电二极管(silicon carbide photodiodes, SiC-PD)作为日盲型探测器(solar-blind photodetector),具有高可靠性、强抗辐照及低温度系数,优于普通硅(Si)型探测器,以高响应度、低暗电流满足紫外应用。 磷化镓光电二极管(gallium phosphide photodiodes, GaP-PD)光谱覆盖广,自紫外至绿光,尤其擅长近紫外探测。两者各具特色,适用于不同紫外探测需求。
单光子探测器(single photon detectors, SPD),基于APD盖革模式(Geiger mode, GM),增益高达10E+6~10E+8倍,显著提升信噪比,精准捕捉超弱光信号。我司提供GM-APD、CMOS SPADs及SiPM MPPC,三款先进单光子探测器件,满足不同应用需求,从基础科研到高端探测,全面覆盖。
铟镓砷雪崩光电二极管(indium gallium arsenide avalanche photodiodes, InGaAs-APD)覆盖1000-1630nm波长,内增益机制使其增益比普通InGaAs-PD高约30倍,尤其适合1550nm应用。我们提供多种光敏尺寸,可选配制冷、尾纤及内置前放,灵活满足高端探测需求。
双色波长探测器(dual sandwich wavelength detectors or two-color sandwich photodiodes)芯片顶部和底部包含两种光电材料,是一种能在两个不同颜色波长范围内同时探测光信号的光电探测器(photodetectors)。其可输出两路光电流信号,常用于测温应用等参比信号测量,可提高被测物理量的精度和稳定性,扩大光谱探测范围。
依托顶尖国际生产商与设计精英团队,我们提供的图像传感器(image sensors),即便在极低光强下,仍确保超高清画质与超宽HDR展现。提供全方位定制化服务,灵活融入各类应用场景,精准满足客户需求,引领视觉科技新高度。
压力传感器(pressure sensors)能够准确检测并转换压力信号为电信号,广泛应用于工业控制、医疗设备、航空航天等领域。它具备高精度、快速响应和稳定性好的特点,是自动化系统和安全监测中不可或缺的关键元件。可提供芯片(chips)、封装(packages)、模块(modules)等产品。
固态硅光电倍增管SiPM(silicon photomultiplier,原理本质为multi-pixel photon counter即MPPC)是由微型盖革雪崩光电二极管(GM-APD)组成的面阵,能响应300nm到900nm的光谱,具有高达10E+6倍的增益和卓越的定时性能,可实现单光子等级的探测。此外,SiPM适合低压工作,具有很强的温度稳定性、抗磁能力和可靠性,可替代传统的光电倍增管(photomultiplier tube, PMT)。
多类型光电探测器模块(photodetector modules),包括即插即用型(含完整电路与接口)及小型定制集成OEM模块,覆盖宽谱并提供阵列模块以适应复杂光学系统,支持根据具体需求优化与定制OEM模块,欢迎来电详询。
Gamma Counters伽马计数
GaP-PIN-PD磷化镓光电二极管
Si-PIN-PD硅光电二极管
InGaAs-PIN-PD铟镓砷光电二极管
InGaAs-PD Arrays铟镓砷光电二极管阵列
Thermopile Sensors热电堆测温
Si-APD硅雪崩光电二极管
Si-APD Arrays硅雪崩光电二极管阵列
SiPM Silicon-PhotoMultipliers MPPC固态硅光电倍增管
InGaAs-APD铟镓砷雪崩光电二极管
QPD Quadrant-PhotoDetectors四象限光斑位置敏感
PSD Position-Sensitive-Detectors光斑位置敏感
Amplified Dual Sandwich Detectors放大双色光波段敏感
Custom定制Proximity Sensors接近传感器人眼安全激光


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