硅雪崩光电二极管(silicon avalanche photodiodes, Si-APD)的响应波长覆盖260-1100nm。APD具有内增益机制，相比普通PIN管，能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号，在保持低暗电流的同时拥有更快的响应速度和更高的信噪比。

硅光电二极管(silicon photodiodes, Si-PD)探测范围190-1100nm，高响应度、低暗电流，反向偏压提升响应速度，适用于高速测量。广泛应用于光谱分析、生化检测、安检、激光测距及阵列成像等精密弱光探测领域，是光电探测技术中的重要元件。

碳化硅光电二极管(silicon carbide photodiodes, SiC-PD)作为日盲型探测器(solar-blind photodetector)，具有高可靠性、强抗辐照及低温度系数，优于普通硅(Si)型探测器，以高响应度、低暗电流满足紫外应用。而磷化镓光电二极管(gallium phosphide photodiodes, GaP-PD)光谱覆盖广，自紫外至绿光，尤其擅长近紫外探测。两者各具特色，适用于不同紫外探测需求。

红外探测器(infrared photodetectors, IR-PD)可探测0.8μm至100μm的红外辐射，具备高响应度和高信噪比，广泛应用于红外光谱、气体分析、火焰探测、温度传感、航天及科研领域。我们的红外探测材料包括Ge、PbS、PbSe、InAs、InSb、MCT等光子型探测器件，以及热释电和热电堆等热型探测器件。

单光子探测器(single photon detectors, SPD)，基于APD盖革模式(Geiger mode, GM)，增益高达10E+6~10E+8倍，显著提升信噪比，精准捕捉超弱光信号。我司提供GM-APD、CMOS SPADs及SiPM MPPC，三款先进单光子探测器件，满足不同应用需求，从基础科研到高端探测，全面覆盖。

铟镓砷雪崩光电二极管(indium gallium arsenide avalanche photodiodes, InGaAs-APD)覆盖1000-1630nm波长，内增益机制使其增益比普通InGaAs-PD高约30倍，尤其适合1550nm应用。我们提供多种光敏尺寸，可选配制冷、尾纤及内置前放，灵活满足高端探测需求。

位移探测器(position sensors)通过横向效应或不同像元间的电流差用来检测光斑移动位置。分为象限探测器和PSD探测器两种类型，象限探测器更适合于光斑对准应用，而PSD探测器更容易获得绝对位置，根据选择材料的不同(Si、InGaAs、MCT)可满足不同应用需求。

双波长探测器(dual sandwich wavelength detectors)包含两种材料，分别位于芯片顶部和底部，是一种能够在两个不同波长范围内同时探测光信号的光电探测器。其可输出两路光电流信号，常用于测温应用等参比信号测量，可提高被测物理量的精度和稳定性，扩大光谱探测范围。

依托顶尖国际生产商与设计精英团队，我们提供的图像传感器(image sensors)，即便在极低光强下，仍确保超高清画质与超宽HDR展现。提供全方位定制化服务，灵活融入各类应用场景，精准满足客户需求，引领视觉科技新高度。

液位传感器(liquid level sensors)是一种重要的测量装置，用于将液位高度转化为电信号输出。它结构简单、安装方便，具有稳定性好、可靠性高、经济耐用的特点。常见类型包括光电式、电容式、超声波式等，各类型传感器在不同领域有广泛应用，如制造业、汽车工业及家用电器等。

压力传感器(pressure sensors)能够准确检测并转换压力信号为电信号，广泛应用于工业控制、医疗设备、航空航天等领域。它具备高精度、快速响应和稳定性好的特点，是自动化系统和安全监测中不可或缺的关键元件。可提供芯片、封装、模块等产品。

固态硅光电倍增管SiPM(silicon photomultiplier，原理本质为multi-pixel photon counter即MPPC)是由微型盖革雪崩光电二极管(GM-APD)组成的面阵，能响应300nm到900nm的光谱，具有高达10E+6倍的增益和卓越的定时性能，可实现单光子等级的探测。此外，SiPM适合低压工作，具有很强的温度稳定性、抗磁能力和可靠性，可替代传统的光电倍增管(photomultiplier tube, PMT)。

提供多类型光电探测器模块(photodetector modules)，包括即插即用型（含完整电路与接口）及小型OEM集成模块，覆盖全波段并提供阵列模块以适应复杂光学系统。支持根据具体需求优化与定制OEM模块，详情请致电咨询。