砷化镓光电二极管

砷化镓光电二极管(gallium arsenide photodiodes, GaAs-PD)包含高速砷化镓光电探测器(gallium arsenide photodetectors, GaAs-PD)和宽动态范围的跨阻放大器，具有低暗电流、高响应度、低电容等优点，密封在4引脚的TO封装内。

砷化镓光电二极管(gallium arsenide photodiodes, GaAs-PD)PIN光电探测器阵列(photodetector array)专为高速光纤接收器和监控应用而设计，光谱响应在650nm到860nm，具有AR涂层，对电信波长敏感，是SM或MM光纤的完美接收器。

砷化镓光电探测器(gallium arsenide photodetectors, GaAs-PD)属于近红外光电二极管[near infrared (NIR) photodiodes]，我们还可以根据客户的应用需要提供芯片。