砷化铟(InAs)

InAs-PD的带隙能量约为0.35eV，主要用于中红外波段（3-5 um）的光电探测，相比InGaAs扩展型拥有更长的截止波长，更大的分流电阻，并且可以在室温下工作。主要应用于非接触式测温、激光监测、红外分光光度计等领域。