InGaAs-PD属于近红外光电二极管,噪声低、速度快。和Si材料相比其能隙宽度更窄,因此波长范围更大,响应度更高。我们除了提供1.7μm截止的通用型器件,还提供扩展型器件,并且可根据需要选择适合的光敏面大小和探测器阵列。
我们可根据应用需求提供InGaAs光电二极管芯片,芯片采用带有AR涂层平窗的TO系列封装。
高灵敏度型通用系列采用截止波长为2.6um的 PlN 光电二极管,专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计,在宽光谱范围内具有卓越的响应度。
高灵敏度型制冷系列采用截止波长为2.6um的 PlN 光电二极管,专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计,其内部带有制冷装置,在宽光谱范围内具有卓越的响应度。
高速通用型系列的截止波长为1.7μm,在1100nm到1620nm波长范围内有出色的响应,对微弱信号具有高灵敏度。有多种配置可选择,可带透镜,带前放电路,插座式或带尾纤封装。主要应用包括:高速光通信、Gbit以太网、光纤通道、ATM等。
高速型内置前放系列集成了InGaAs光电探测器和宽动态范围跨阻放大器,封装在一个4引脚的TO封装内,为高速信号放大提供理想条件,赋予探测器卓越的灵敏度。
多元阵列高速系列中每个AR涂层元件都能达到2.5Gbps的数据传输速率,在1100nm到1620nm波长范围内有高响应度,专为多通道光纤应用而设计。
高量子效率(HQE)系列主要应用于压缩光领域,这些光电二极管针对特定波长、入射角和偏振进行了量身定制。
多元阵列高灵敏度系列拥有更高的灵敏度,设计用于过程控制、lR 光谱和生物医学分析。
尾纤耦合系列采用光纤尾纤封装,单模/多模光纤与TO透镜盖封装的设计提高了耦合效率和稳定性。其高响应度和低电容,使其成为局域网等高速通信及监控/仪器系统中超高比特率接收器的理想选择。
InGaAs PIN模块专为对低噪声硅或铟镓砷探测器感兴趣的客户设计。该系列集成在一个小型封装中,可以非常容易地组装到光学装置中,还可以根据应用需求选择合适的连接器或定制模块。
多元阵列模块包括传感器板、处理和控制单元、控制和数据分析软件、电缆套件等组成部分。