铟镓砷光电二极管

我们可根据应用需求提供InGaAs光电二极管芯片，芯片采用带有AR涂层平窗的TO系列封装。

高灵敏度通用型铟镓砷光电二极管[standard high-sensitivity indium gallium arsenide photodiodes（InGaAs-PD)]采用截止波长为2.6um的PIN光电二极管，专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计，在宽光谱范围内具有卓越的响应度。

高灵敏制冷型铟镓砷光电二极管[thermoelectrically cooled (TEC) high-sensitivity indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]采用截止波长为2.6um的 PIN 光电二极管，专为要求苛刻的光谱和辐射测量应用而设计，其内部带有制冷装置，在宽光谱范围内具有卓越的响应度。

多元阵列高灵敏度系列拥有更高的灵敏度，设计用于过程控制、lR 光谱和生物医学分析。

高量子效率[High Quantum Efficiency（HQE）InGaAs-PD(indium gallium arsenide photodiodes)]系列主要应用于压缩光领域，这些光电二极管针对特定波长、入射角和偏振进行了量身定制。

高速通用型铟镓砷光电二极管[standard high-speed indium gallium arsenide photodiodes (InGaAs-PD)]的截止波长为1.7μm，在1100nm到1620nm波长范围内有出色的响应，对微弱信号具有高灵敏度。有多种配置可选，可带透镜、前放电路、插座式或尾纤封装。主要应用包括：高速光通信、Gbit吉位宽高速以太网、光纤通道、ATM等。

4引脚TO封装的高速内置前放型铟镓砷红外光电探测器[high-speed with hybrid integrated amplifier indium gallium arsenide photodiodes（InGaAs-PD)]集成了宽动态范围跨阻放大器，为高速信号放大提供理想条件，赋予探测器卓越的灵敏度。

多元阵列高速系列中每个AR涂层元件都能达到2.5Gbps的数据传输速率，在1100nm到1620nm波长范围内有高响应度，专为多通道光纤应用而设计。

尾纤耦合系列采用光纤尾纤封装，单模/多模光纤与TO透镜盖封装的设计提高了耦合效率和稳定性。其高响应度和低电容，使其成为局域网等高速通信及监控/仪器系统中超高比特率接收器的理想选择。

InGaAs PIN模块专为对低噪声硅或铟镓砷探测器感兴趣的客户设计。该系列集成在一个小型封装中，可以非常容易地组装到光学装置中，还可以根据应用需求选择合适的连接器或定制模块。

多元阵列模块包括传感器板、处理和控制单元、控制和数据分析软件、电缆套件等组成部分。