锑化铟/碲镉汞(IS/MCT)

IS_MCT的构造是为了响应不同但相邻的红外光谱区域而设计,一个元件具有短波长响应,而另一个元件对长波长辐射做出响应。InSb元件相应范围为1μm至5.5μm,HgCdTe元件对5.5μm至12.5μm的辐射响应。

型号
探测器材料-底层
探测器材料
光敏尺寸
光敏尺寸-底层
响应波长-范围
响应波长范围-底层
响应度-峰值
响应度-底层
比探测率
比探测率-底层
制冷温度
封装
封装类型
引脚数
窗口
原厂封装
工作模式
2C-.25 InSb MCT Ø0.25 , 0.25x0.25 mm 0.25x0.25 mm 1 … 5.5 μm 5.5 … 12.5 μm >3A/W >5000V/W >1.0E+11cm√Hz/W >3.0E+10cm√Hz/W 77K MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12 Special / ZnSe MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12 /
2C-.5 InSb MCT Ø0.5 , 0.5x0.5 mm 0.5x0.5 mm 1 … 5.5 μm 5.5 … 12.5 μm >3A/W >3000V/W >1.0E+11cm√Hz/W >3.0E+10cm√Hz/W 77K MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12 Special / ZnSe MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12 /
2C-1 InSb MCT Ø1 , 1.0x1.0 mm 1.0x1.0 mm 1 … 5.5 μm 5.5 … 12.5 μm >3A/W >2000V/W >1.0E+11cm√Hz/W >3.0E+10cm√Hz/W 77K MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12 Special / ZnSe MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12 /
2C-2 InSb MCT Ø2 , 2.0x2.0 mm 2.0x2.0 mm 1 … 5.5 μm 5.5 … 12.5 μm >3A/W >1000V/W >1.0E+11cm√Hz/W >2.0E+10cm√Hz/W 77K MDL-8,MDL-12,MSL-8,MSL-12 Special / ZnSe MDL-8,MDL-12MSL-8,MSL-12 /