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硅/铟镓砷/硫化铅(Si/InGaAs/PbS)

Si_InGaAs_PbS探测器主要用于远程温度测量。通过比较两个相邻波长的辐射强度与标准黑体辐射曲线，可以测量温度，且不受发射率和视场等因素影响。顶部材料吸收较短波长的光子，而底部材料吸收较长波长的光子，最终输出两路光电流信号。

型号	探测器材料	探测器材料-底层	光敏尺寸	光敏尺寸-底层	响应波长-峰值	响应度-峰值	响应波长-底层	响应度-底层	封装	封装类型	窗口	引脚数
S_IGA-050_030	Si	InGaAs	Ø5 mm	Ø3 mm	900 nm	0.5A/W	1300 nm	0.6A/W	TO-8	TO	-	4
UVS/IGA-025/020	Si	InGaAs	Ø2.5 mm	Ø2.0 mm	850 nm	0.6A/W	1300 nm	0.6A/W	TO-5	TO	-	4
S/S-025	Si	Si	Ø2.5 mm	Ø2.5 mm	850 nm	0.5A/W	1050 nm	0.1A/W	TO-5	TO	-	4
IGA/IGA-020	InGaAs	InGaAs	Ø2.0 mm	Ø2.0 mm	1300 nm	0.9A/W	1750 nm	0.05A/W	TO-5	TO	-	4
BICIG17X1.3SIN3.09M	Si	InGaAs	Ø3 mm	Ø1.3 mm	880 nm	0.4A/W	1500 nm	0.55A/W	TO-39	TO	-	4
PB25G20209X-Si	Si	PbS	Ø3 mm	2 × 2 mm	-	-	-	8.0E+05V/W	TO-39	TO	-	4
WS7.56 TO5	Si	Si	2.75 × 2.75 mm	2.75 × 2.75 mm	550 nm	0.2A/W	850 nm	0.45A/W	TO-5	TO	-	3
WS7.56 TO5I	Si	Si	2.75 × 2.75 mm	2.75 × 2.75 mm	550 nm	0.2A/W	850 nm	0.45A/W	TO-5	TO	-	4
PIN-DSS	Si	Si	Ø2.54 mm	Ø2.54 mm	950 nm	0.45A/W	1060 nm	0.12A/W	TO-5	TO	-	4
PIN-DSIN	Si	InGaAs	Ø2.54 mm	Ø1.50 mm	950 nm	0.55A/W	1300 nm	0.60A/W	TO-5	TO	-	4
PIN 20157	InGaAs	InGaAs	Ø2 mm	Ø2 mm	1550 nm	1A/W	1650 nm	0.15A/W	TO-5	TO	-	4
PIN-DSIN-TEC	Si	InGaAs	Ø2.54 mm	Ø1.50 mm	950 nm	0.55A/W	1300 nm	0.60A/W	TO-8	TO	-	8