经过优化的锗光电二极管(germanium PIN photodiodes, Ge-PIN-PD)可在近红外到红外区域工作,在850nm到1600nm之间具有响应,采用TO和各种光纤耦合封装。此器件在低反向偏压条件下工作时需要使用高分流电阻,在高带宽应用中需要使用低电容。
锗探测器模块[Ge-PD receiver (Rcvr) modules (Mod)]是一种能够在环境温度下工作并保持高性能的光电二极管/接收器,配备有双增益场效应管输入的跨阻放大器。
经过优化的锗光电二极管(germanium PIN photodiodes, Ge-PIN-PD)可在近红外到红外区域工作,在850nm到1600nm之间具有响应,采用TO和各种光纤耦合封装。此器件在低反向偏压条件下工作时需要使用高分流电阻,在高带宽应用中需要使用低电容。
锗探测器模块[Ge-PD receiver (Rcvr) modules (Mod)]是一种能够在环境温度下工作并保持高性能的光电二极管/接收器,配备有双增益场效应管输入的跨阻放大器。