锗光电二极管系列

经过优化的锗光电二极管可在近红外到红外区域工作,在850nm到1600nm之间具有响应,采用TO和各种光纤耦合封装。此器件在低反向偏压条件下工作时需要使用高分流电阻,在高带宽应用中需要使用低电容。

型号
光敏尺寸
响应波长-范围
响应度-特定波长
分流电阻
电容
噪声等效功率
暗电流
反向击穿电压
制冷温度
温度传感元件
封装
封装类型
引脚数
窗口
原厂封装
工作温度-范围
G-030 Ø3 × 10 mm 800 … 1800 nm 0.9A/W@1550nm >40 kΩ 4000 pF <7E-13W/√Hz@1550nm 4 μA@-1V - - TO-5 TO 3 - TO-5 0 … 65℃
G-010 Ø1 × 10 mm 800 … 1800 nm 0.9A/W@1550nm 200 kΩ 1500 pF 3E-13W/√Hz@1550nm 4 μA@-1V - - TO-18 TO 3 - TO-18 -
PDGEB500ST83-B-0 Ø0.5 mm 850 … 1650 nm 0.8A/W@1310nm 300 kΩ 0.03 pF 0.2W/√Hz 0.3 μA 10V - TO 3 - -20 … 60℃
PDGEC500ST83-B-0 Ø0.5 mm 850 … 1600 mm 0.8A/W@1310nm 1200 kΩ 0.5 pF 0.1W/√Hz 0.05 μA 0.25V - TO 3 - -20 … 60℃
PDGED1.0ST83-B-0 Ø1 mm 850 … 1600 nm 0.65A/W@1310nm 350 kΩ 2 nF 0.2W/√Hz 0.1 μA 0.25V - TO 3 - -20 … 60℃
G-050 Ø5 mm 800 … 1800 nm 0.9A/W@1500nm 15 kΩ 30000 pF <1.5E-12W/√Hz@1500nm 0.67 μA@-1V 1V TO-8 TO 3 -
G-100 10 × 10 mm 1000 … 1800 nm 0.9A/W@1550nm 4 kΩ 30000 pF <3.5E-12W/√Hz@1550nm 2.5 μA@-1V V - Special TO 3 - - -