首页 | 产品信息 | 硅雪崩光电二极管多元阵列 64AA0.475-9

特性

产品信息

像元数 像元尺寸 像元中心距 暗电流 反向击穿电压 上升沿时间 封装 封装类型 引脚数 窗口
64 190 × 2500 μm 230 μm 0.25 nA@M=50 160 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω - Chip 29 -

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 Datasheet
1024KB/PDF