首页｜产品信息｜硅雪崩光电二极管｜多元阵列

8AA0.2-9 SMD

特性

产品信息

像元数	像元尺寸	像元中心距	暗电流	反向击穿电压	上升沿时间	封装	封装类型	引脚数	窗口
8	550 × 350 μm	650 μm	0.1 nA@M=50	160 … 200V@10μA	1 ns@M=100,905nm,50Ω	-	SMD	-	-

相关文档