首页 | 产品信息 | 硅雪崩光电二极管多元阵列 SAH1L12-012S14

特性

产品信息

像元数 像元尺寸 像元中心距 暗电流 反向击穿电压 上升沿时间 封装 封装类型 引脚数 窗口
12 620 × 190 μm 40 μm 4 nA@M=100,905nm 80 … 200V@10μA 1 ns@M=100,905nm,50Ω DIP Special 14 -

相关文档

 Datasheet
1024KB/PDF