首页 | 产品信息 | 硅雪崩光电二极管多元阵列 64AA1.2-9 BGA

特性

产品信息

像元数 像元尺寸 像元中心距 暗电流 反向击穿电压 上升沿时间 封装 封装类型 引脚数 窗口
64 240 × 5000 μm 280 μm 0.25 nA@M=50 180 … 240V@10μA <1.5 ns@M=100,905nm,50Ω BGA SMD 72 -

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 Datasheet
1024KB/PDF