首页｜产品信息｜硅雪崩光电二极管｜多元阵列

8AA0.11-9 CH

特性

产品信息

像元数	像元尺寸	像元中心距	暗电流	反向击穿电压	上升沿时间	封装	封装类型	引脚数	窗口
8	215 × 500 μm	255 μm	1.0 nA@M=50	160 … 240V@10μA	1.5 ns@M=100,905nm,50Ω	-	Chip	10	-

相关文档

Datasheet
1024KB/PDF