传感器

Si-APD的响应波长覆盖260-1100nm。APD具有内增益机制，相比普通PIN管，能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号，在保持低暗电流的同时拥有更快的响应速度和更高的信噪比。

硅光电二极管探测范围190-1100nm，高响应度、低暗电流，反向偏压提升响应速度，适用于高速测量。广泛应用于光谱分析、生化检测、安检、激光测距及阵列成像等精密弱光探测领域，是光电探测技术中的重要元件。

SiC-PD作为日盲型探测器，具有高可靠性、强抗辐照及低温度系数，优于普通Si型探测器，以高响应度、低暗电流满足紫外应用。而GaP-PD光谱覆盖广，自紫外至绿光，尤其擅长近紫外探测。两者各具特色，适用于不同紫外探测需求。

红外探测器可探测0.8μm至100μm的红外辐射，具备高响应度和高信噪比，广泛应用于红外光谱、气体分析、火焰探测、温度传感、航天及科研领域。我们的红外探测材料包括Ge、PbS、PbSe、InAs、InSb、MCT等光子型探测器件，以及热释电和热电堆等热型探测器件。

单光子探测器件，基于APD盖革模式，增益高达106-108倍，显著提升信噪比，精准捕捉超弱光信号。我们提供GM-APD、CMOS SPADs及SIPM，三款先进单光子探测器件，满足不同应用需求，从基础科研到高端探测，全面覆盖。

InGaAs-APD覆盖1000-1630nm波长，内增益机制使其增益比普通InGaAs-PD高约30倍，尤其适合1550nm应用。我们提供多种光敏尺寸，可选配制冷、尾纤及内置前放，灵活满足高端探测需求。

位移探测器通过横向效应或不同像元间的电流差用来检测光斑移动位置。分为象限探测器和PSD探测器两种类型，象限探测器更适合于光斑对准应用，而PSD探测器更容易获得绝对位置，根据选择材料的不同(Si、InGaAs、MCT)可满足不同应用需求。

双波长探测器包含两种材料，分别位于芯片顶部和底部，是一种能够在两个不同波长范围内同时探测光信号的光电探测器。其可输出两路光电流信号，常用于测温应用等参比信号测量，可提高被测物理量的精度和稳定性，扩大光谱探测范围。

依托顶尖国际生产商与设计精英团队，我们提供的图像传感器，即便在极低光强下，仍确保超高清画质与超宽HDR展现。提供全方位定制化服务，灵活融入各类应用场景，精准满足客户需求，引领视觉科技新高度。

液位传感器是一种重要的测量装置，用于将液位高度转化为电信号输出。它结构简单、安装方便，具有稳定性好、可靠性高、经济耐用的特点。常见类型包括光电式、电容式、超声波式等，各类型传感器在不同领域有广泛应用，如制造业、汽车工业及家用电器等。

压力传感器能够准确检测并转换压力信号为电信号，广泛应用于工业控制、医疗设备、航空航天等领域。它具备高精度、快速响应和稳定性好的特点，是自动化系统和安全监测中不可或缺的关键元件。可提供芯片、封装、模块等产品。

SIPM是由微型盖革APD组成的面阵，能响应300nm到900nm的光谱，具有高达106倍的增益和卓越的定时性能，可实现单光子等级的探测。此外，SIPM适合低压工作，具有很强的温度稳定性、抗磁能力和可靠性，可替代传统的光电倍增管(PMT)。

提供多类型光电探测器模块，包括即插即用型（含完整电路与接口）及小型OEM集成模块，覆盖全波段并提供阵列模块以适应复杂光学系统。支持根据具体需求优化与定制OEM模块，详情请致电咨询。