红外探测器

砷化镓光电二极管(gallium arsenide photodiodes, GaAs-PD)属于近红外探测器(near-infrared detectors, NIRD)，响应速度快，可用于光通讯、安防、光屏障等领域。我们提供的产品有阵列、芯片、内置前放等，可提供滤色片以及光纤接口选项。

铟镓砷光电二极管(indium gallium arsenide photodiodes, InGaAs-PD)属于近红外探测器(near-infrared detectors, NIRD)，噪声低、速度快。相比Si材料，其能隙宽度更窄，因此波长范围更大，响应度更高。我们除了提供1.7μm截止波长的通用型器件，还提供扩展型器件，并且可根据需要选择适合的光敏面大小和探测器阵列。

锗光电二极管(germanium photodiodes, Ge-PD)属于近红外探测器(near-infrared detectors, NIRD)，在1.1um到1.7um波长范围内具有优异的探测性能，目前应用于夜视设备、气体分析、光谱分析、光纤通信等领域。我们还可以提供探测器模块、多种光纤接口以及不同尺寸的尾纤选项。

砷化铟光电二极管(indium arsenide photodiodes, InAs-PD)的带隙能量约为0.35eV，主要用于中红外波段（3-5 um midwavelength infrared, MWIR）的光电探测(photodetectors)，相比InGaAs扩展型拥有更长的截止波长，更大的分流电阻，并且可以在室温下工作。主要应用于非接触式测温、激光监测、红外分光光度计等领域。

锑化铟光电二极管(indium antimonide photodiodes, InSb-PD)属于光子型中波红外探测器(midwavelength infrared detectors, MWIRD)，光谱响应范围1um-5.5um，相比PbS与PbSe等铅盐类探测器拥有更广的光谱、更高的响应速度以及更高的信噪比。在气体分析、光谱分析、辐射度计、红外显微等领域有广泛应用。

硫化铅光电二极管红外探测器[lead sulfide photodiode (PbS-PD) infrared detectors (IRD)]一般工作在光导模式下，截止波长达3.4μm。相比热探测器，其信噪比更高，响应速度更快。但暗电阻和响应特性易受环境影响，需在稳定环境或制冷下使用。主要用于火焰探测、红外水分检测、红外光谱仪及非接触测温等领域。

硒化铅光电二极管红外探测器[lead selenide photodiode (PbSe-PD) infrared detectors (IRD)]一般为光导模式，截止波长可达5.2 um，与热探测器相比有信噪比高、响应速度快、可以在室温工作等优点。但暗电阻和响应特性易受外界环境（紫外光、温度）等影响，需要在稳定环境中或制冷方式下使探测器工作在最佳状态。

碲镉汞光电二极管红外探测器[mercury cadmium telluride (HgCdTe or MCT) photodiode infrared detectors (IRD)]属于光子型长波红外(long wavelength infrared, LWIR)器件，半导体制冷(thermoelectrically cooled, TEC)的光谱响应范围2um-9um，液氮或斯特灵制冷的光谱响应范围可达2-24um，拥有长波红外最高的信噪比与响应速度。主要应用领域包括气体分析、红外傅里叶光谱、热成像、污染监测等。

热释电红外探测器(pyroelectric infrared detectors)能对全光谱信号产生响应，相比于其他热探测器件有更好的信噪比与更快的响应速度。但由于窗口材料的限制，通常分为对气体优化的窄带探测或针对中长波红外的宽带探测。我们可以提供的热释电材料有LTO(LiTaO3)与DLaTGS。

热电堆光电二极管(thermopile photodiodes)属于被动式热辐射红外探测器(passive radiation infrared detectors)，无需偏置和制冷且不产生辐射，全光谱覆盖，可选择滤色片、串口材料、热敏电阻、视场、填充气体以及内置电路等参数。应用：非接触式测温、气体分析、火焰探测、热成像、激光监测、辐射度计等。