碳化硅光电二极管(silicon carbide photodiodes, SiC-PD)作为日盲型探测器(solar-blind photodetector),具有高可靠性、强抗辐照及低温度系数,优于普通硅(Si)型探测器,以高响应度、低暗电流满足紫外应用。 磷化镓光电二极管(gallium phosphide photodiodes, GaP-PD)光谱覆盖广,自紫外至绿光,尤其擅长近紫外探测。两者各具特色,适用于不同紫外探测需求。
固态光电倍增管(silicon photomultiplier,SiPM, also multi-pixel photon counter)是由微型盖革雪崩光电二极管(GM-APD)组成的面阵,能响应300nm到900nm的光谱,具有高达10E+6倍的增益和卓越的定时性能,可实现单光子等级的探测。此外,SiPM适合低压工作,具有很强的温度稳定性、抗磁能力和可靠性,可替代传统的光电倍增管(photomultiplier tube, PMT)。
铟镓砷雪崩光电二极管(indium gallium arsenide avalanche photodiodes, InGaAs-APD)覆盖1000-1630nm波长,内增益机制使其增益比普通InGaAs-PD高约30倍,尤其适合1550nm应用。我们提供多种光敏尺寸,可选配制冷、尾纤及内置前放,灵活满足高端探测需求。
双色光波长探测器(dual sandwich wavelength detectors or two-color sandwich photodiodes)芯片顶部和底部包含两种光电材料,是一种能在两个不同颜色波长范围内同时探测光信号的光电探测器(photodetectors, PD)。其可输出两路光电流信号,常用于测温应用等参比信号测量,可提高被测物理量的精度和稳定性,扩大光谱探测范围。
多类型光电探测器模块(photodetector modules),包括即插即用型(含完整电路与接口)及小型定制集成OEM模块,覆盖宽谱并提供阵列模块以适应复杂光学系统,支持根据具体需求优化与定制OEM模块,欢迎来电详询。
单光子探测器(single photon detectors, SPD),基于APD盖革模式(Geiger mode, GM),增益高达10E+6~10E+8倍,显著提升信噪比,精准捕捉超弱光信号。我司提供GM-APD、CMOS SPADs及SiPM,三款先进单光子探测器件,满足不同应用需求,从基础科研到高端探测,全面覆盖。
依托顶尖国际生产商与设计精英团队,我们提供的图像传感器(image sensors),即便在极低光强下,仍确保超高清画质与超宽HDR展现。提供全方位定制化服务,灵活融入各类应用场景,精准满足客户需求,引领视觉科技新高度。

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