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| 产品信息 |
硅雪崩光电二极管
|
可见近红外型
|
峰值800nm系列
AD100-8 TO52S1
特性
产品信息
光敏尺寸
暗电流
反向击穿电压
温度系数-击穿电压
封装
上升沿时间
封装类型
引脚数
窗口
Ø100 μm
0.05 nA@M=100
80 … 120V@2μA
0.45V/K
TO-52
<0.18 ns@M=100,905nm,50Ω
TO
3
-
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