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单光子探测器件
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盖革雪崩光电二极管(GM-APD)
SAP300T8
特性
产品信息
光敏尺寸
暗电流
上升沿时间
反向击穿电压
制冷温度
暗计数率
后脉冲率
封装
封装类型
引脚数
窗口
300 μm
70 pA@M=250
0.5 ns@M=250,830nm,50Ω
125V@10μA
-20℃
2.0E+03Counts/s@PDP=5%,2V OV,830nm
2%@PDP=5%,2V OV,830nm
TO-8
TO
6
-
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