首页 | 产品信息 | 硅雪崩光电二极管1064nm增强型 SAT800G1

特性

产品信息

光敏尺寸 暗电流 上升沿时间 反向击穿电压 响应度-特定波长 温度系数-击穿电压 封装 封装类型 引脚数 窗口
Ø800 μm 1 nA@M=100 1 ns@M=100 400V@10μA 25A/W@M=100,1064nm 2.5V/K TO-5 TO 3 -

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 Datasheet
1024KB/PDF