Innolume在SPIE Photonics West 2025上展示了1W 1.06μm的DFB激光器，其效率创历史新高
1 月 27 日，在 SPIE Photonics West 2025 上，Alexey Kovsh 发表了关于高功率基于 GaAs 的 DFB 激光器的前沿进展的演讲。主要重点是演示基于 InGaAs 量子阱的1.06μm DFB 激光器，在连续波(CW)模式下为种子应用提供高达 1 W 的光功率，功率转换效率(PCE)为 45%。这一成就代表了为放大器、全息术、倍频和材料加工等应用开发高功率和高效激光器的重大进步。
演讲要点
单层外延生长制造工艺：激光结构采用MBE生长工艺，波导核心附近有一个波纹光栅。
高功率和高效率：4mm长的DFB激光器可实现高达1W的面外CW功率，PCE高达 46%。据我们所知，这些数值均创下了基于砷化镓的DFB激光器的世界纪录。
光束质量高，与单模光纤的耦合效率高：稳定的远场轮廓，具有高斯形状和4x27°FWHM的发散角，可确保在各种工作条件下与单模光纤的耦合效率超过70%。因此，3mm长的激光器可从光纤中产生300mW的CW光功率，PCE为35%。
窄线宽：在较宽的输出功率范围内，测量到光束的线宽仍低于300 kHz FWHM，因此这些激光器非常适合需要高相干性的应用。
用于O波段的量子点DFB激光器
除了基于QW的先进技术外，Innolume还展示了其在O波段基于量子点DFB激光器方面取得的最新进展。这些量子点激光器可在25℃至85℃的宽温度范围内提供超过150mW的输出功率，可在没有光隔离器的收发器中运行。这些激光器采用内置原位窗口结构，可防止灾难性光学镜面损坏 (COMD)，因此它拥有极其优秀的可靠性。
活动详情
日期：2025年1月28-30日 2025年1月28-30日
地点：美国旧金山霍华德街747号莫斯克尼中心 美国加利福尼亚州旧金山霍华德街747号莫斯克尼中心
我们的展位 #4324
我们诚邀您参观我们的展台，进一步了解我们在高功率DFB激光技术方面的前沿进展。
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