宽频带112GbpsPAM4InGaAsPIN光电二极管//具备高温性能和更长传输距离的56GbpsVCSEL

    作为数据通信领域VCSEL和光电二极管解决方案的全球领导者，TRUMPF通过其最新推出的112GbpsPAM4InGaAsPIN光电二极管和56GbpsVCSEL，进一步提升了数据中心的数据传输效率。这家高科技公司今日宣布了其产品组合在数据通信领域的进一步强化。

    该112GbpsPAM4InGaAsPIN光电二极管可在842nm~948nm波长范围内工作，其有源区直径为32μm。此外，它具有低偏置电压和低暗电流，提升了112Gbps应用的性能。该光电二极管样品现已提供，可供客户评估。

    TRUMPF还发布了具有高温性能的850nm56GbpsVCSEL。该VCSEL在扩展的温度范围（0℃~105℃）内提供稳健、线性的性能。此外，凭借其业界领先的窄光谱宽度，该VCSEL可实现400多米的传输距离，为数据中心内部开辟了创新应用空间。

    TRUMPF营销与销售副总裁RalphGudde表示：“我们在砷化镓（GaAs）技术领域拥有悠久的传承和核心优势，我们利用这一优势开发出了能在112Gbps数据速率下提供卓越性能的光电二极管。随着这款光电二极管的发布，以及今年夏天即将上市的112GbpsVCSEL，我们将拥有完整的112Gbps解决方案组合，以满足当前和未来的需求。”他补充道：“在我们扩展更高数据速率产品家族的同时，我们新型的高温性能56GbpsVCSEL提供了额外的设计裕度，并实现了更长的传输距离，从而能够在数据中心内部实现创新应用。”

    TRUMPF持续大力投资于其更高数据速率的技术，并提供VCSEL和光电二极管作为匹配对解决方案，拥有多种布局，如单通道、1x2、1x4、1x8和/或1x12阵列。这些器件专为满足数据中心的需求而设计，包括人工智能/机器学习（AI/ML）、高性能计算（HPC）以及其他带宽密集型应用，因为它们能够提供高速、稳定可靠的数据传输。

    112GbpsPAM4宽频带光电二极管

    TRUMPF提供单通道、1x2、1x4、1x8和1x12阵列形式的光电二极管