AdvanSiD  关于我们先进硅探测器 经过100%的合并，Optoi Group创立的初创公司AdvanSiD自12月1日起成为Cefla的一部分。为了加强Cefla的专业知识和技术技能，收购这家初创公司意味着有机会扩展AdvanSiD开发的LuXimos数字X射线传感器和硅光电倍增管技术。AdvanSiD自2010年以来一直是位于特伦托的Bruno Kessler基金会FBK的一部分，在硅辐射探测器的研发方面拥有超过15年的经验。 此次合并与Cefla医疗设备业务部门销售的解决方案完美整合，在技术回报方面具有巨大潜力。100%意大利制造的使能技术以及控制上游技术链的能力是此次收购背后的两个驱动因素。 硅技术 AdvanSiD为其光电倍增管提供了两种硅技术： RGB SiPM技术：用于检测可见光的N-on-P硅光电倍增管 NUV SiPM技术：用于检测近紫外光的P-on-N硅光电倍增管。从2014年第四季度开始提供极低噪音、超低后脉冲NUV技术。 RGB和NUV SiPM的p/n结特性不同，并且具有不同的光谱响应以满足特定的应用要求。RGB和NUV SiPM也是考虑到通常用于检测伽马射线和X射线的不同类型的闪烁晶体而设计的。 RGB和NUV SiPM具有低暗计数率、非常高的击穿均匀性、高温稳定性、非常低的时间抖动等特点。 SiPM产品 AdvanSiD提供金属TO外壳或塑料芯片级封装的高性能SiPM。 单通道SiPM有四种尺寸：1×1、3×3、4×4mm2方形有源区和直径1.2mm圆形有源区。 多像素SiPM阵列有两种格式：具有1.5 mm或3 mm SiPM间距的单片SiPM阵列，以及具有3×3 mm2或4×4 mm2元件的混合SiPM阵列。 新发展-SiPM研发 AdvanSiD依赖于特伦托Bruno Kessler基金会（FBK）开发的SiPM技术。2010年，经过近10年的研究和该领域的经验，FBK的硅辐射传感器部门将其已建立的SiPM技术转让给了新成立的分拆公司AdvanSiD。 SRS研究小组的活动侧重于SiPM技术的研发，在从最初的SiPM探测器发展而来方面取得了显著成果。