首页 | 产品信息 | 砷化镓光电二极管(GaAs-PD)(待删除) EPD-660-5-0.5

特性

产品信息

探测器材料 光敏尺寸 响应波长-范围 响应波长-峰值 响应度-峰值 上升沿时间 暗电流 分流电阻 电容 封装 封装类型 引脚数 窗口 原厂封装 工作温度-范围 反向击穿电压 噪声等效功率
AlGaAs/GaAs 0.17mm2 605 … 705 nm - 0.42A/W 15 ns@-1V 40 pA@-1V 670 GΩ@-10mV 50 pF@0V Φ5 Plastic THD Special 2 Lens 5 mm plastic lens -20 … 85℃ 5V@10μA 8.5E-15W/√Hz@660nm

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 Datasheet
1024KB/PDF