首页｜产品信息｜砷化镓光电二极管(GaAs-PD)（待删除）

EPD-880-1-0.9

特性

产品信息

探测器材料	光敏尺寸	响应波长-范围	响应波长-峰值	响应度-峰值	上升沿时间	暗电流	分流电阻	电容	封装	封装类型	引脚数	窗口	原厂封装	工作温度-范围	反向击穿电压	噪声等效功率
GaAs	0.62mm²	820 … 935 nm	890 nm	0.5A/W@0V	175 ns@-5V	10 pA@-1V	-	-	-	SMD	2	-	1206	-40 … 85℃	5V@10μA	-@890nm

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