首页｜产品信息｜砷化镓光电二极管(GaAs-PD)（待删除）

$$EPC-660-0.9

特性

产品信息

探测器材料	光敏尺寸	响应波长-范围	响应波长-峰值	响应度-峰值	上升沿时间	暗电流	分流电阻	电容	封装	封装类型	引脚数	窗口	原厂封装	工作温度-范围	反向击穿电压	噪声等效功率
AlGaAs/GaAs	0.62mm²	620 … 700 nm	660 nm	0.2A/W@0V	40 ns@-1V	40 pA@-1V	Ω	40 pF@0V	-	Chip	2	Filter	chip	-40 … +125℃	V	W/√Hz

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Datasheet
1024KB/PDF