首页 | 产品信息 | 砷化镓光电二极管(GaAs-PD)(待删除) $$EPD-660-5-0.9

特性

产品信息

探测器材料 光敏尺寸 响应波长-范围 响应波长-峰值 响应度-峰值 上升沿时间 暗电流 分流电阻 电容 封装 封装类型 引脚数 窗口 原厂封装 工作温度-范围 反向击穿电压 噪声等效功率
AlGaAs/GaAs 0.62mm2 605 … 705 nm 660 nm 0.42A/W@0V 40 ns@-1V 40 pA@-1V 600 GΩ@-10mV 50 pF@0V Φ5 Plastic THD Special 2 Filter -20 … +85℃ 5V@10μA W/√Hz

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 Datasheet
1024KB/PDF